专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果196762个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种激光消散斑装置及激光投影设备-CN201811324192.6有效
  • 宋丽培;王静茹;郭汝海;刘显荣;田有良 - 青岛海信激光显示股份有限公司
  • 2018-11-08 - 2022-12-27 - G02F1/29
  • 本申请公开了一种激光消散斑装置及激光投影设备,该装置包括:第一电光晶体、第二电光晶体;激光器发出的激光入射到第一电光晶体,经第一电光晶体透射后入射到第二电光晶体,并在所述第二电光晶体内透射后从所述第二电光晶体的出光口出射;第一电光晶体与第二电光晶体的生长方向分别与入射于第一电光晶体的激光光束的入射方向垂直,且第一电光晶体与第二电光晶体的生长方向垂直;第一电光晶体和第二电光晶体分别受控于电压信号,且施加于第一电光晶体和第二电光晶体上的电压随时间改变,使得第一电光晶体和第二电光晶体的折射率随时间改变。
  • 一种激光消散装置投影设备
  • [发明专利]一种电光调Q晶体器件、制备方法及电光调Q激光器-CN202111037108.4在审
  • 夏明军;唐川;李如康 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2021-09-06 - 2023-03-10 - H01S3/115
  • 本发明实施例公开一种电光调Q晶体器件、制备方法及电光调Q激光器。在一具体实施方式中,该电光调Q晶体器件包括:沿电光调Q晶体器件的通光方向设置的第一电光晶体和第二电光晶体;第一电光晶体包括分别设置在其沿通光方向延伸的两相对侧面的第一电极膜;第二电光晶体包括分别设置在其沿通光方向延伸的两相对侧面的第二电极膜;第二电光晶体与第一电光晶体的结构相同,第二电光晶体的相对侧面与第一电光晶体的相对侧面之间存在设定的夹角。该实施方式的电光调Q晶体器件可有效补偿静态双折射的相位延迟,消除温度稳定性对电光调Q晶体器件的静态双折射变化的影响,保证电光调Q晶体器件的消光比。
  • 一种电光晶体器件制备方法激光器
  • [发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件-CN202110103546.X有效
  • 王金翠;张秀全;刘桂银;张涛;连坤;刘阿龙;杨超 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2021-01-26 - 2022-05-17 - G02F1/035
  • 本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,包括:由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子;在电光晶体基片工艺面制备与光波导结构相同的掩模;由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内刻蚀,电光晶体基片内刻蚀后剩余的掺杂有重质量离子部分为光波导;填充电光晶体基片工艺面内被刻蚀掉区域,填充材料的折射率小于光波导的折射率,其中,填充于光波导间隙内的填充材料形成波导包覆层,由于在对电光晶体薄膜基片进行刻蚀处理之前,预先在电光晶体薄膜基片进行掺杂处理,使电光晶体薄膜基片内形成晶格损伤,从而可以提高刻蚀效率,避免了直接对电光晶体薄膜基片刻蚀处理会影响电光晶体薄膜层性能的问题。
  • 一种电光晶体薄膜制备方法电子元器件
  • [发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件-CN202110104258.6有效
  • 刘桂银;张秀全;连坤 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2021-01-26 - 2022-05-17 - G02F1/035
  • 本申请提供一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,包括:在电光晶体基片工艺面制备掩模;如果掩模与光波导结构相反,则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子,在电光晶体基片内形成波导层;如果掩模与光波导结构相同,则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂轻质量离子,在电光晶体基片内形成波导层,其中,波导层中没有掺杂轻质量离子部分形成光波导,波导层中掺杂轻质量离子部分形成波导包覆层,光波导的折射率大于波导包覆层的折射率,通过在电光晶体基片中掺杂重质量离子或轻质量离子,形成光波导,而不需要通过对电光晶体基片刻蚀来形成光波导,从而能够保证最后得到的电光晶体薄膜层的完整性。
  • 一种电光晶体薄膜制备方法电子元器件
  • [实用新型]一种电光晶体开关的封装结构-CN201120451131.3有效
  • 龚辉 - 上海镭立激光科技有限公司
  • 2011-11-15 - 2012-07-11 - G02F1/03
  • 一种电光晶体开关的封装结构,包括一个玻璃包壳和一个晶体电极组合体,晶体电极组合体由一个电光晶体和两个金属电极构成,金属电极分别设置在电光晶体的两侧并与电光晶体相邻接触,玻璃包壳中设置有一个通孔,晶体电极组合体设置在通孔内,通孔的径向截面与晶体电极组合体的径向截面匹配,通孔的轴向截面与晶体电极组合体的轴向截面匹配。本实用新型利用激光直接在玻璃块中开设通孔形成玻璃包壳,实现对电光晶体精密封装,金属电极与电光晶体紧密电接触,消除了安装应力对电光晶体造成的破坏和电光相位延迟,而且直接采用玻璃材料封装电光晶体,防止了高压漏电和温度变形,使电光开关的关断能力得到了很大的提高,增强了电光开光的工作性能。
  • 一种电光晶体开关封装结构
  • [发明专利]光学谐振腔以及光学滤波器-CN202210371893.5在审
  • 昌钟璨;万助军;欧阳奎 - 华为技术有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - G02F1/03
  • 本申请提供了一种光学谐振腔以及光学滤波器,涉及光通信技术领域,其滤波效果有所提升,该光学谐振腔包括电光晶体;第一电极和第二电极,其中第一电极与第二电极沿电光晶体的传播方向分别设置在电光晶体的两侧;第一电极与第二电极向电光晶体施加电场,电场用于调节电光晶体的折射率,电场存在平行于传播方向的分量;第一反射膜和第二反射膜,其中第一反射膜设置在第一电极远离电光晶体的一侧,第二反射膜设置在第二电极远离电光晶体的一侧;温控结构,其中,温控结构向电光晶体施加温度,以调节电光晶体的折射率。
  • 光学谐振腔以及滤波器
  • [发明专利]光学谐振腔以及光学滤波器-CN202210371684.0在审
  • 葛柯廷;昌钟璨;万助军;欧阳奎 - 华为技术有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - G02F1/03
  • 本申请提供了一种光学谐振腔以及光学滤波器,涉及光通信技术领域,能够提高光学谐振腔的滤波效果,该光学谐振腔包括电光晶体;第一反射膜和第二反射膜;第一电极和第二电极,第一电极与第二电极向电光晶体施加的电场用于调节电光晶体的折射率;第一反射膜,用于在传播方向上透射输入光线至电光晶体电光晶体,用于在电场的作用下,以预定折射率将第一反射膜透射的光线传输至第二反射膜;第二反射膜,用于将电光晶体传输的光线中的预定波长的光线输出,并将预定波长以外的其他波长的光线反射至电光晶体电光晶体,还用于将第二反射膜反射的光线以预定折射率传输至第一反射膜;第一反射膜,还用于将电光晶体传输的光线反射至电光晶体
  • 光学谐振腔以及滤波器

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top